赤堀 誠志 (AKABORI, Masashi)准教授
マテリアルサイエンス系, 応用物理学領域, ナノマテリアルテクノロジーセンター
◆学位
北海道大学学士(工学)(1995), 北海道大学修士(工学)(1997), 北海道大学博士(工学)(2000)
◆職歴
1997 - 2000 : 日本学術振興会特別研究員DC1(1997-2000), 日本学術振興会特別研究員PD(2000-2002)
1997 - 2000 : Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [DC1] (1997-2000), Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [PD] (2000-2002)
◆専門分野
電気電子材料工学
◆研究キーワード
ナノ構造, エピタキシャル成長, 化合物半導体
◆研究課題
微細加工技術による化合物半導体ナノ構造形成
主に化合物半導体多層薄膜構造をベースとして、電子線露光など微細リソグラフィー技術や、エッチング技術・薄膜堆積技術を用いて、立体ナノ構造形成およびナノ構造を有する新しいデバイスの形成を目指している。
化合物半導体ナノ構造の物性評価
化合物半導体ナノ構造の電子物性・光学物性を評価し、将来の情報技術に応用可能な物理現象の探索およびその解明を目指している。
化合物半導体エピタキシャル成長および成長技術によるナノ構造形成
分子線エピタキシャル成長(MBE)や有機金属気相成長(MOVPE)による様々な化合物半導体多層薄膜構造の成長や、これら成長技術を利用した化合物半導体立体ナノ構造(量子細線・量子ドットなど)の形成を目指している。

■研究業績

◆発表論文
One-pot synthesis of manganese oxide/graphene composites via a plasma-enhanced electrochemical exfoliation process for supercapacitors
Minh Nhat Dang, Thanh Hai Nguyen, To Van Nguyen, Tran Viet Thu, Hoang Le, Masashi Akabori, Nobuaki Ito, Hai Yen Nguyen, Trong Lu Le, Tuan Hong Nguyen, Van Thao Nguyen, Ngoc Hong Phan
Nanotechnology, 31, 34, 345401-345401, 2020
Epitaxial growth and characterization of Cr-doped ZnSnAs2 thin films on InP substrates
Hiroto Oomae, Kai Sato, Miyuki Shinoda, M. I. Faris bin Ishak, Hideyuki Toyota, Masashi Akabori, Hidetoshi Kizaki, Shinichi Nakamura, Joel T. Asubar, Naotaka Uchitomi
Japanese Journal of Applied Physics, 59, 3, 030601-030601, 2020
Strain mapping at the interface of InP/In x Ga1-x As/InP as measured by the scanning transmission electron microscope-moiré fringe method
Tongmin Chen, Masashi Akabori, Yoshifumi Oshima
Applied Physics Express, 12, 10, 105504-105504, 2019
Turbostratic multilayer graphene synthesis on CVD graphene template toward improving electrical performance
Wei Chaopeng, Negishi Ryota, Ogawa Yui, Akabori Masashi, Taniyasu Yoshitaka, Kobayashi Yoshihiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58, -, 2019
◆Misc
Turbostratic Stacking Effect in Multilayer Graphene on the Electrical Transport Properties
Ryota Negishi, Chaopeng Wei, Yao Yao, Yui Ogawa, Masashi Akabori, Yasushi Kanai, Kazuhiko Matsumoto, Yoshitaka Taniyasu, Yoshihiro Kobayashi
physica status solidi (b), 257, 2, 1900437-1900437, 2020
Aspect Ratio Dependence of Magnetization Switching in CoFe Nanolayers Patterned on GaAs (001) Substrates
R. Horiguchi, K. Teramoto, Y. Adachi, M. Akabori, S. Hara
Collected Abstract of the 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), Sendai, Japan, November 27-30, 2019, WP2-20., 53-54, 2019
Thickness and Aspect Ratio Dependences of Magnetic Domain Structures in Patterned CoFe Thin Films on GaAs (001) Substrates
K. Teramoto, R. Horiguchi, Y. Adachi, M. Akabori, S. Hara
Collected Abstract of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019), Nagoya, Japan, September 2-5, 2019, PS-8-20., 1-2, 2019
「InP(111)B基板上のMOVPE選択成長によるInGaAs六角柱アレイの形成」
-, 2001
"Selective Area MOVPE Growth of InGaAs Hexagonal Nano-pillar Array on InP(111)B Masked Substrates"
-, 2001
◆講演・口頭発表
Sheet Electron Density Dependence of Electron Mobility Anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP Two-Dimensional Electron Gas
2016 Compound Semiconductor Week, MoP-ISCS-060, Toyama, Japan, June 26-30 (2016)., 2016
Subband transport and quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs 2DEG bilayer with surface inversion layer
9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P1-24, Kobe, Japan, August 8-11 (2016)., 2016
Measurement of resonant spin Hall effect in InGaAs 2DEG bilayer system
9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P2-13, Kobe, Japan, August 8-11 (2016)., 2016
GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures on GaAs(111)B for lateral spin valve device application
第77回応用物理学会学術講演会、13p-P8-41、新潟、9/13-16 (2016)., 2016
Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) oriented masked substrates by electrochemical method
第77回応用物理学会学術講演会、15a-P9-6、新潟、9/13-16 (2016)., 2016

■担当講義

Solid State Physics Ⅱ, Fabrication of Nano-Devices with Training Course, 固体物理学特論Ⅱ, ナノデバイス加工論(実習付)

■学外活動

◆所属学会
日本応用物理学会, 日本物理学会, Japan Applied Physics Society, The Physical Society of Japan, 電子情報通信学会
◆学術貢献活動
会員 , 日本応用物理学会
会員 , 日本物理学会
Member , Japan Applied Physics Society