水田 博 (MIZUTA, Hiroshi)副学長, 卓越教授, 教授, 自然との共感・共生テクノロジー研究センター長
マテリアルサイエンス, サスティナブルイノベーション研究領域, 自然との共感・共生テクノロジー研究センター

Misc

19件
ジグザクエッジを有する非常に幅の狭いグラフェンナノリボンの電気伝導度
Liu Chunmeng, Zhang Xiaobin, Zhang Jiaqi, Manoharan Muruganathan, 水田博, 水田博, 大島羲文
日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web), 2020, -, 2020
透過型電子顕微鏡による浮遊グラフェンナノリボンのその場電気伝導率測定
LIU Chunmeng, Zhang Xiaobin, Muruganathan Manoharan, 水田博, 水田博, 大島義文
日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web), 2019, -, 2019
電子線を利用したグラフェンへのナノポア作製
Zhang Xiaobin, Muruganathan Manoharan, 水谷加奈子, Schmidt Marek E., 水田博, 大島義文
日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web), 2019, -, 2019
純グラフェンと被覆グラフェンの伝導応答
AGBONLAHOR Osazuwa Gabriel, MURUGANATHAN Manoharan, HATTORI Masashi, SHIMOMAI Kenichi, MIZUTA Hiroshi, MIZUTA Hiroshi
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 80th, -, 2019
グラフェンナノデバイス技術による超高感度ガスセンサ/スイッチ
水田博, アグボンラホール ガブリエル, 宮下寛也, ムルガナタン マノハラン, 槇恒, 恩田陽介, 服部将志, 下舞賢一, 関根嘉香
粉体粉末冶金協会講演大会(Web), 2019, -, 2019
透過電子顕微鏡その場観察によるグラフェンナノリボン電気伝導計測
大久保諒, LIU Chunmeng, ZHANG Xiaobin, SCHMIDT Marek. E, MURUGANATHAN Manoharan, 水田博, 大島義文
日本表面真空学会学術講演会講演要旨集, 2018, 191-, 2018
サスペンデッドグラフェンナノリボンのデバイス構造の作製
水谷加奈子, ZHANG Xiaobin, SCHMIDT Marek E., MURUGANATHAN Manoharan, 水田博, 水田博, 大島義文
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 78th, -, 2017
グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価 (シリコン材料・デバイス)
岩崎 拓哉, ムルガナタン マノハラン, 水田 博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 114, 443, 69-73, 2015
Low pull-in voltage graphene nanoelectromechanical switch (シリコン材料・デバイス)
スン ジアン, 兼竹 望, 筑葉 拓生, ムルガナタン マノハラン, 水田 博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 114, 443, 39-43, 2015
グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価 (電子デバイス)
岩崎 拓哉, ムルガナタン マノハラン, 水田 博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 114, 442, 69-73, 2015
Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature : Toward room temperature operation (電子デバイス)
モラル ダニエル, ハミッド エルファン, サマンタ アルプ, アン レ・テ, 水野 武志, 水田 博, 田部 道晴
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 113, 39, 65-70, 2013
第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 (電子デバイス)
葛屋 陽平, モラル ダニエル, 水野 武志, 田部 道晴, 水田 博
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 111, 425, 7-11, 2012
Influence of nanocrystal size on conduction mechanism across silicon nanocrystals
Zhou Xin, kouichi usami, M. A. Rafiq, H. Mizuta, Y. Tsuchiya, S. Oda
Journal of Applied Physics, 104, 2, 24518-, 2009
MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討
古川亮介, 古川亮介, 須藤貴也, 土屋良重, 野平博司, 水田博, 丸泉琢也, 白木靖寛, 小田俊理
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 67th, 2, -, 2006
High-speed and non-volatile nano electro-mechanical memory incorporating Si quantum dots
Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, T. Nagami, S. Yamaguchi, T. Shimada, H. Mizuta, S. Oda
AIP Conference Proceedings, 772, 1589-1590, 2005
Magnetoelectric device
Tsukagoshi Kazuhito, Alphenaar Bruce William, Mizuta Hiroshi
-, 2004
3次元フォトニック結晶構造Si量子ドットレーザの提案
筆宝大平, 水田博, 小田俊理
第65回応用物理学会学術講演会, -, 2004
Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectrics Grown by MOCVD
Hirotsugu Fujita, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori, Shunri Oda
CDROM, 19-20, 2004