エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長—Growth of Mono-Polar GaN on Si (111) via Epitaxial ZrB_2 Buffer Layer 高村(山田), 由起子, 王, 治涛, 藤川, 安仁, 櫻井, 利夫
日本物理学会誌, 61, 7, 521-524, 2006
AI agentとロボット技術を統合した高品質二次元半導体作製 出原渉, 高村由起子, 大島義文, 麻生浩平, 渡邊賢司, 谷口尚, 俣野眞一朗, 松田一成
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 73rd, -, 2026
次元性と環境の誘電率を考慮した置換ドープWSe2におけるドーパントのイオン化エネルギーの定量的考察 金橋魁利, 田中一樹, 西村知紀, 麻生浩平, LU Anh Khoa Augustin, 森戸智, CHEN Limi, 掛谷尚史, 渡邉聡, 大島義文, 高村(山田)由起子, 上野啓司, AZIZI Amin, 長汐晃輔
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 72nd, -, 2025
編集委員・外部記者が見た！ 秋季学術講演会 西山 伸彦, 名村 今日子, 加藤 直彦, 寺本 章伸, 高村(山田) 由起子, 植田 暁子, 太田 泰友, 藤田 奈津子, 森下 弘樹
応用物理, 93, 12, 680-680, 2024
化学的に調整した半導体モアレ超格子【JST・京大機械翻訳】 ZHANG Wenjin, LIU Zheng, NAKAJO Hiroshi, NAKAJO Hiroshi, NAKAJO Hiroshi, AOKI Soma, AOKI Soma, WAN Haonan, WANG Yanlin, GAO Yanlin, MARUYAMA Mina, KAWAKAMI Takuto, MAKINO Yasuyuki, KANEDA Masahiko, CHEN Tongmin, ASO Kohei, OGAWA Tomoya, ENDO Takahiko, NAKANISHI Yusuke, WATANABE Kenji, TANIGUCHI Takashi, OSHIMA Yoshifumi, YAMADA-TAKAMURA Yukiko, KOSHINO Mikito, OKADA Susumu, MATSUDA Kazunari, KATO Toshiaki, KATO Toshiaki, MIYATA Yasumitsu
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 5, 5, -, 2024
非縮退および縮退NbドープWSe_2におけるp+型から両極性への転移【JST機械翻訳】 KANAHASHI Kaito, TANAKA I., NISHIMURA T., ASO K., CHEN L., KAKEYA T., OSHIMA Y., YAMADA-TAKAMURA Y., UENO K., NAGASHIO K.
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集, 67th, -, 2024
電気応答GaSeナノリボンのその場TEM観察 Nakashima MAI, Chen Limi, Aso Kohei, Yamada-Takamura Yukiko, Oshima Yoshifumi
日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web), 2024, 3P95-, 2024
高角度ツイストWTe2における疑一次元モアレの観測 YANG Xiaohan, CHEN Limi, ZHANG Yijin, ASO Kohei, YAMAMORI Wataru, MORIYA Rai, WATANABE Kenji, TANIGUCHI Takashi, SASAGAWA Takao, YAMADA-TAKAMURA Yukiko, OSHIMA Yoshifumi, MACHIDA Tomoki
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 85th, -, 2024
ヤヌスMoSSeナノスクロールの作製と評価 金田賢彦, ZHANG W., LIU Z., GAO Y., 丸山実那, 中西勇介, 中條博史, 中條博史, 中條博史, 青木颯馬, 青木颯馬, 本田航大, 小川朋也, 橋本和樹, 遠藤尚彦, 麻生浩平, CHEN T., 大島義文, 高村由起子, 高橋康史, 高橋康史, 岡田晋, 加藤俊顕, 加藤俊顕, 宮田耕充
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 84th, -, 2023
非柱状単位層構造を有する層状Ⅲ族モノカルコゲナイド薄膜のMBE成長 米澤 隆宏, 村上 達也, 東嶺 孝一, 陳 桐民, 新田 寛和, 久瀬 雷矢, アントワーヌ フロランス, 大島 義文, 高村(山田) 由起子
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2020.1, 3473-3473, 2020
シリセン/ZrB2/Si(111)表面へのNO吸着と反応 向井 孝三, 上田 博昭, 芳倉 佑樹, 宮原 亮介, 高村(山田) 由起子, 尾崎 泰助, 吉本 真也, 吉信 淳
日本物理学会講演概要集, 72.1, 1, 2633-2633, 2017
ZrB2(0001)上のエピタキシャルシリコンの水素化 FLEURENCE A., YONEZAWA T., WALLACE S., HORIBE S., KATO T., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
Ge(111)ウエハ上に成長させたGaSe薄膜の電子構造 YONEZAWA T., FLEURENCE A., YAMANE H., WALLACE S., HORIBE S., KATO T., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
シリコンおよびゲルマニウムの二次元合金の電子構造 FLEURENCE A., HUET C., WALLACE S., WIGGERS F., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
ZrB2(0001)上の二層シリコン FLEURENCE A., WIGGERS F., WALLACE S., HUET C., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
h-BN終端ZrB2薄膜上のエピタキシャルシリセン WIGGERS F. B., FLEURENCE A., AOYAGI K., YONEZAWA T., YAMANE H., YAMADA-TAKAMURA Y., KOSUGI N., KOVALGIN A. Y., DE JONG M. P.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
8aAS-2 一酸化窒素(NO)とシリセン/ZrB_2/Si(111)の相互作用(8aAS グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面,結晶成長)) 吉信 淳, 吉本 真也, 向井 孝三, 清水 皇, 小板谷 貴典, 則武 宏幸, 高村 由起子
日本物理学会講演概要集, 69.2.4, 2, 644-644, 2014
ZrB2上のエピタキシャルsiliceneの大規模第一原理計算 LEE C.-C., FLEURENCE A., FRIEDLEIN R., YAMADA-TAKAMURA Y., OZAKI T.
Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM), 2013.2, 805-805, 2013
企画の意図 川山 巌, 河野 良介, 高村 由起子, 山口 雅浩
應用物理, 82, 2, 105-, 2013
二ホウ化ジルコニウム薄膜上シリセンの構造と電子状態 高村(山田) 由起子, アントワーヌ フロランス, 川井 弘之, 王 鷹, 尾崎 泰助, ライナー フリードライン
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2011.1, 1584-1584, 2011
分子ワイヤとしての核酸の積層:グアニンおよびアデニン会合における分子間バンド分散の測定 FRIEDLEIN Rainer, WANG Ying, FLEURENCE Antoine, BUSSOLOTTI Fabio, OGATA Yoichi, YAMADA-TAKAMURA Yukiko
Abstracts Book. International Symposium on Surface Science, 132, 37, 12808-12810, 2010
MBE-SPMによるGaNの研究 高村(山田)由起子, WANG Z. T., 桜井利夫
東北大学金属材料研究所金属ガラス総合研究センター共同利用研究報告書, 2004, -, 2005
二層BN薄膜の電子物性 野瀬健二, 高村(山田)由起子, 橘勝彦, 吉田豊信
日本金属学会講演概要, 130th, -, 2002