非縮退および縮退NbドープWSe_2におけるp+型から両極性への転移【JST機械翻訳】 KANAHASHI Kaito, TANAKA I., NISHIMURA T., ASO K., CHEN L., KAKEYA T., OSHIMA Y., YAMADA-TAKAMURA Y., UENO K., NAGASHIO K.
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集, 67th, -, 2024
高角度ツイストWTe2における疑一次元モアレの観測 YANG Xiaohan, CHEN Limi, ZHANG Yijin, ASO Kohei, YAMAMORI Wataru, MORIYA Rai, WATANABE Kenji, TANIGUCHI Takashi, SASAGAWA Takao, YAMADA-TAKAMURA Yukiko, OSHIMA Yoshifumi, MACHIDA Tomoki
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 85th, -, 2024
化学的に調整した半導体モアレ超格子【JST・京大機械翻訳】 ZHANG Wenjin, LIU Zheng, NAKAJO Hiroshi, NAKAJO Hiroshi, NAKAJO Hiroshi, AOKI Soma, AOKI Soma, WAN Haonan, WANG Yanlin, GAO Yanlin, MARUYAMA Mina, KAWAKAMI Takuto, MAKINO Yasuyuki, KANEDA Masahiko, CHEN Tongmin, ASO Kohei, OGAWA Tomoya, ENDO Takahiko, NAKANISHI Yusuke, WATANABE Kenji, TANIGUCHI Takashi, OSHIMA Yoshifumi, YAMADA-TAKAMURA Yukiko, KOSHINO Mikito, OKADA Susumu, MATSUDA Kazunari, KATO Toshiaki, KATO Toshiaki, MIYATA Yasumitsu
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 84th, -, 2023
ZrB2(0001)薄膜表面上の二次元Ge二重三角格子
深谷有喜, 𠮷信淳, アントワーヌ・フロランス, 高村(山田)由起子
PHOTON FACTORY NEWS, 39, 3, 24-27, 2021
非柱状単位層構造を有する層状III族モノカルコゲナイド薄膜のMBE成長 米澤隆宏, 村上達也, 東嶺孝一, CHEN Tongmin, 新田寛和, 久瀬雷矢, FLEURENCE Antoine, 大島義文, 高村(山田)由起子
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 67th, -, 2020
ZrB2(0001)上のエピタキシャルシリコンの水素化 FLEURENCE A., YONEZAWA T., WALLACE S., HORIBE S., KATO T., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
Ge(111)ウエハ上に成長させたGaSe薄膜の電子構造 YONEZAWA T., FLEURENCE A., YAMANE H., WALLACE S., HORIBE S., KATO T., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
シリコンおよびゲルマニウムの二次元合金の電子構造 FLEURENCE A., HUET C., WALLACE S., WIGGERS F., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
ZrB2(0001)上の二層シリコン FLEURENCE A., WIGGERS F., WALLACE S., HUET C., YAMANE H., KOSUGI N., YAMADA-TAKAMURA And Y.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
密度汎関数法によるエピタキシャルシリセン中の内殻準位準粒子の研究 LEE Chi-Cheng, YOSHINOBU Jun, MUKAI Kozo, YOSHIMOTO Shinya, UEDA Hiroaki, FLEURENCE Antoine, YAMADA-TAKAMURA Yukiko, OZAKI Taisuke
日本物理学会講演概要集(CD-ROM), 72, 1, -, 2017
h-BN終端ZrB2薄膜上のエピタキシャルシリセン WIGGERS F. B., FLEURENCE A., AOYAGI K., YONEZAWA T., YAMANE H., YAMADA-TAKAMURA Y., KOSUGI N., KOVALGIN A. Y., DE JONG M. P.
UVSOR Activity Report, 2016, -, 2017
8aAS-2 一酸化窒素(NO)とシリセン/ZrB_2/Si(111)の相互作用(8aAS グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面,結晶成長)) 吉信 淳, 吉本 真也, 向井 孝三, 清水 皇, 小板谷 貴典, 則武 宏幸, 高村 由起子, Fleurence Antoine, Friedlein Rainer
日本物理学会講演概要集, 69, 2, 644-644, 2014
シリセン：ケイ素で出来たグラフェン？ 高村(山田, 由起子, アントワーヌ・フロランス, ライナー, フリードライン, 尾崎泰助
日本物理学会誌, 68, 5, 305-308, 2013
23aJB-7 第一原理計算によるZrB_2表面上のSilicene構造の研究(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長)) 尾崎 泰助, 川井 弘之, Fleurence Antoine, Friedlein Rainer, 高村(山田) 由起子
日本物理学会講演概要集, 66, 2, 931-931, 2011
25pTG-4 ZrB_2上のSi単一層の第一原理電子状態計算(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長)) 川井 弘之, 尾崎 泰助, Fleurence Antoine, Friedlein Rainer, 高村(山田) 由起子
日本物理学会講演概要集, 66, 1, 906-906, 2011
分子ワイヤとしての核酸の積層:グアニンおよびアデニン会合における分子間バンド分散の測定 FRIEDLEIN Rainer, WANG Ying, FLEURENCE Antoine, BUSSOLOTTI Fabio, OGATA Yoichi, YAMADA-TAKAMURA Yukiko
Abstracts Book. International Symposium on Surface Science, 6th, -, 2011
窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価
高村(山田, 由起子, 王治涛, 藤川安仁, 櫻井利夫
応用物理, 76, 5, 499-504, 2007
24aYH-3 ニホウ化ジルコニウム薄膜を介在したシリコン上の窒化ガリウム成長(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)) 高村(山田) 由起子, 王 治涛, 藤川 安仁, Tsong I.S.T., 櫻井 利夫
日本物理学会講演概要集, 61, 2, 732-732, 2006
硬質薄膜のナノインデンテーション評価技術
高村 由起子
新樹社 月刊トライボロジー, 16, 9, 19-21, 2002