鈴木 寿一 (Toshi-kazu Suzuki)教授
マテリアルサイエンス系,応用物理学領域
◆学位
博士(理学) 東京大学
◆職歴
: ソニー中央研究所 主任研究員
◆専門分野
化合物半導体エレクトロニクス, 化合物半導体結晶成長・デバイス,高速・高周波デバイス
◆研究キーワード
半導体デバイス, 化合物半導体
◆研究課題
・化合物半導体結晶成長
分子線エピタキシーによるIII-V族化合物半導体の格子不整結晶成長(GaAs基板上のInSb, InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAsなど)と結晶欠陥制御についての研究
・狭ギャップ半導体異種材料融合集積(ヘテロジニアスインテグレーション)
狭ギャップ半導体材料・デバイスを格子不整成長とエピタキシャルリフトオフの組み合わせによって異種基板上に貼付集積する技術の開発
・化合物半導体デバイス、高速・高周波デバイス
III-V族化合物半導体(InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAs, GaN/AlGaN)デバイス作製と評価、結晶欠陥が化合物半導体デバイス特性に与える影響についての研究、化合物半導体微細デバイスの高速・高周波特性についての研究

■研究業績

◆発表論文
Suppression of drain-induced barrier lowering by double-recess overlapped gate structure in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs
Sato Taku, Uryu Kazuya, Okayasu Junichi, Kimishima Masayuki, Suzuki Toshi-kazu
APPLIED PHYSICS LETTERS, 113, 6, -, 2018/08/06
Insulator-semiconductor interface fixed charges in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with Al2O3 or AlTiO gate dielectrics
Son Phuong Le, Duong Dai Nguyen, Suzuki Toshi-kazu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 123, 3, -, 2018/01/21
An InAs/high-k/low-k structure: Electron transport and interface analysis
Ui Toshimasa, Mori Ryousuke, Le Son Phuong, Oshima Yoshifumi, Suzuki Toshi-kazu
AIP ADVANCES, 7, 5, -, 2017/05
Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Son Phuong Le, Ui Toshimasa, Tuan Quy Nguyen, Shih Hong-An, Suzuki Toshi-kazu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 119, 20, -, 2016/05/28
Low-frequency noise in InAs films bonded on low-k flexible substrates
Le Son Phuong, Ui Toshimasa, Suzuki Toshi-kazu
APPLIED PHYSICS LETTERS, 107, 19, -, 2015/11
◆書籍
「2013 化合物半導体技術大全」 第2編 第1章 「化合物半導体基板と結晶成長技術」
鈴木寿一, 共著, 電子ジャーナル出版, 2013
◆講演・口頭発表
Characterization and analysis of GaN-based MIS-HFETs ――A method using capacitance-frequency-temperature mapping (Invited)
T. Suzuki, H.-A. Shih, and M. Kudo
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, 2013
異種材料融合集積に向けた狭ギャップ化合物半導体技術
鈴木寿一
電気学会調査専門委員会, 法政大学(東京都小金井市), 2008/07/18
Narrow-gap III-V semiconductor technology: lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration (Invited)
T. Suzuki
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Sapporo, 2008/07/09

■担当講義

エレクトロニクス特論, 固体電子物性・デバイス特論Ⅱ(E), ナノデバイス加工論(実習付)

■学外活動

◆所属学会
応用物理学会, 電子情報通信学会, 電気学会
◆学術貢献活動
The 49th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Chair of Area 6 - 2017/09 , Sendai
The 47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Vice Chair of Area 6 - 2015/09 , Sapporo
The 46th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Vice Chair of Area 6 , 2014/09 , Tsukuba
◆審議会等への参画状況
・ 応用物理学会 , APEX/JJAP編集委員
・ 電気学会 , 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会 委員長
・ 電気学会 , More Moore, More than Mooreにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会
◆社会貢献活動
・ The 48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , The 48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials - 2016/09
・ 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2015) , 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2015) - 2015/07

■賞等

・ APEX/JJAP編集貢献賞 , 応用物理学会 , 2018/04
・ エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰 , 電子情報通信学会 , 2018/03
・ APEX/JJAP編集貢献賞 , 応用物理学会 , 2015/04