鈴木 寿一 (SUZUKI TOSHI-KAZU)教授, ナノマテリアルテクノロジーセンター長
マテリアルサイエンス系, 応用物理学領域, ナノマテリアルテクノロジーセンター
◆学位
博士(理学) 東京大学
理学修士 東京大学
教養学士 東京大学
◆職歴
: ソニー中央研究所 主任研究員
◆専門分野
電気電子材料工学, 電子デバイス、電子機器
◆研究キーワード
半導体デバイス, 化合物半導体
◆研究課題
・化合物半導体結晶成長
分子線エピタキシーによるIII-V族化合物半導体の格子不整結晶成長(GaAs基板上のInSb, InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAsなど)と結晶欠陥制御についての研究
・狭ギャップ半導体異種材料融合集積(ヘテロジニアスインテグレーション)
狭ギャップ半導体材料・デバイスを格子不整成長とエピタキシャルリフトオフの組み合わせによって異種基板上に貼付集積する技術の開発
・化合物半導体デバイス、高速・高周波デバイス
III-V族化合物半導体(InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAs, GaN/AlGaN)デバイス作製と評価、結晶欠陥が化合物半導体デバイス特性に与える影響についての研究、化合物半導体微細デバイスの高速・高周波特性についての研究

■研究業績

◆発表論文
Degradation of fluorescent organic light emitting diodes caused by quenching of singlet and triplet excitons
Duy Cong Le, Duong Dai Nguyen, Savanna Lloyd, Toshi Kazu Suzuki, Hideyuki Murata
Journal of Materials Chemistry C, 8, 42, 14873-14879, 2020
Interface charge engineering in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices
Duong Dai Nguyen, Toshi Kazu Suzuki
Journal of Applied Physics, 127, 9, -, 2020
Suppression of drain-induced barrier lowering by double-recess overlapped gate structure in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs
Taku Sato, Kazuya Uryu, Junichi Okayasu, Masayuki Kimishima, Toshi Kazu Suzuki
Applied Physics Letters, 113, 6, -, 2018
Insulator-semiconductor interface fixed charges in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with Al2O3 or AlTiO gate dielectrics
Son Phuong Le, Duong Dai Nguyen, Toshi Kazu Suzuki
Journal of Applied Physics, 123, 3, -, 2018
An InAs/high-k/low-k structure: Electron transport and interface analysis
Toshimasa Ui, Ryousuke Mori, Son Phuong Le, Yoshifumi Oshima, Toshi-kazu Suzuki
AIP Advances, 7, 5, 055303-055303, 2017
◆書籍
「2013 化合物半導体技術大全」 第2編 第1章 「化合物半導体基板と結晶成長技術」
共著, 電子ジャーナル出版, 2013
◆講演・口頭発表
Characterization and analysis of GaN-based MIS-HFETs ――A method using capacitance-frequency-temperature mapping (Invited)
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, 2013
異種材料融合集積に向けた狭ギャップ化合物半導体技術
電気学会調査専門委員会, 法政大学(東京都小金井市), 2008
Narrow-gap III-V semiconductor technology: lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration (Invited)
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Sapporo, 2008

■担当講義

Fabrication of Nano-Devices with Training Course, Solid State Physics and its Application to Electronics II(E), エレクトロニクス特論, ナノデバイス加工論(実習付), 固体電子物性・デバイス特論Ⅱ(E)

■学外活動

◆所属学会
電気学会, 電子情報通信学会, 応用物理学会
◆学術貢献活動
The 49th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Chair of Area 6 - 2017 , Sendai
The 48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Chair of Area 6 - 2016 , Tsukuba
The 47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Vice Chair of Area 6 - 2015 , Sapporo
◆審議会等への参画状況
・ 応用物理学会 , APEX/JJAP編集委員
・ 電気学会 , 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会 委員長
・ 日本電子工業振興協会 , 電子デバイス技術委員会・先端機能集積システム専門委員会

■賞等

・ APEX/JJAP編集貢献賞 , 応用物理学会 , 2018
・ エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰 , 電子情報通信学会 , 2018
・ APEX/JJAP編集貢献賞 , 応用物理学会 , 2015