鈴木 寿一 (SUZUKI TOSHI-KAZU)教授
マテリアルサイエンス, ナノマテリアル・デバイス研究領域, ナノマテリアルテクノロジーセンター
◆学位
博士(理学) 東京大学
理学修士 東京大学
教養学士 東京大学基礎科学科
◆職歴
: ソニー中央研究所 主任研究員
◆専門分野
電気電子材料工学, 電子デバイス、電子機器
◆研究キーワード
半導体デバイス, 化合物半導体
◆研究課題
・化合物半導体結晶成長
分子線エピタキシーによるIII-V族化合物半導体の格子不整結晶成長(GaAs基板上のInSb, InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAsなど)と結晶欠陥制御についての研究
・狭ギャップ半導体異種材料融合集積(ヘテロジニアスインテグレーション)
狭ギャップ半導体材料・デバイスを格子不整成長とエピタキシャルリフトオフの組み合わせによって異種基板上に貼付集積する技術の開発
・化合物半導体デバイス、高速・高周波デバイス
III-V族化合物半導体(InGaSb/InAlSb, InGaAs/InAlAs, GaN/AlGaN)デバイス作製と評価、結晶欠陥が化合物半導体デバイス特性に与える影響についての研究、化合物半導体微細デバイスの高速・高周波特性についての研究

■研究業績

◆発表論文
AlGaN/GaN devices with metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers: Vacuum level step due to dipole and interface fixed charge
Yuchen Deng, Jieensi Gelan, Kazuya Uryu, Toshi-kazu Suzuki
Journal of Applied Physics, 135, 8, -, 2024
Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal
Kazuya Uryu, Yuchen Deng, Son Phuong Le, Toshi-kazu Suzuki
AIP ADVANCES, 13, 7, -, 2023
Mechanism of low-temperature-annealed Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures: A study via formation and removal of Ta-based Ohmic-metals
Kazuya Uryu, Shota Kiuchi, Taku Sato, Toshi-kazu Suzuki
Applied Physics Letters, 120, 5, -, 2022
Electrical characterization of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic metals by using multi-probe Hall devices
Kazuya Uryu, Shota Kiuchi, Toshi-kazu Suzuki
Applied Physics Letters, 119, 2, -, 2021
◆書籍
「2013 化合物半導体技術大全」 第2編 第1章 「化合物半導体基板と結晶成長技術」
共著, 電子ジャーナル出版, 2013
◆講演・口頭発表
Characterization and analysis of GaN-based MIS-HFETs ――A method using capacitance-frequency-temperature mapping (Invited)
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, 2013
異種材料融合集積に向けた狭ギャップ化合物半導体技術
電気学会調査専門委員会, 法政大学(東京都小金井市), 2008
Narrow-gap III-V semiconductor technology: lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration (Invited)
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Sapporo, 2008

■担当講義

Fabrication of Nano-Devices with Training Course, Solid State Physics and its Application to Electronics II(E), エレクトロニクス特論, ナノデバイス加工論(実習付), 固体電子物性・デバイス特論Ⅱ(E)

■学外活動

◆所属学会
電気学会, 電子情報通信学会, 応用物理学会
◆学術貢献活動
The 49th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Chair of Area 6 - 2017 , Sendai
The 48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Chair of Area 6 - 2016 , Tsukuba
The 47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials , Program Committee, Vice Chair of Area 6 - 2015 , Sapporo
◆審議会等への参画状況
・ 応用物理学会 , APEX/JJAP編集委員
・ 電子情報通信学会 , 電子デバイス研究専門委員会
・ 電気学会 , 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会 委員長 2019

■賞等

・ IOP Outstanding Reviewer Award 2021 , IOP (Institute of Physics) Publishing , 2022
・ APEX/JJAP編集貢献賞 , 応用物理学会 , 2018
・ エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰 , 電子情報通信学会 , 2018