Fabrication of suspended ultrathin layer of Mo0.97Nb0.03S2 for measurement of thermal conductivity
第13回日本熱電学会学術講演会、S3B4、東京、9/5-7 (2016)., 2016

InGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系において検出した共鳴スピンホール効果信号の検討
日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-3、金沢、9/13-16 (2016)., 2016

障壁をもち幅の狭いInGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造、スピン軌道相互作用と量子ホール効果
日本物理学会2016年秋季大会、16aAB-2、金沢、9/13-16 (2016)., 2016

Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic-MnAs/III-As semiconductor heterostructures on (111)B surfaces for lateral spin device application
3rd International Symposium on Frontiers in Materials Science, SS-I1.2, Hanoi, Vietnam, September 28-30 (2016)., 2016

In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会、東京(2015), 2015

Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy
the 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Niigata, Japan, June 16-19 (2015), 2015

Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional electron gas bilayer system in wide In0.75Ga0.25As well
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Mo-PE-22, Sendai, Japan, July 26-31 (2015)., 2015

Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-14, Sendai, Japan, July 26-31 (2015)., 2015

Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In0.75Ga0.25As well with center In0.75Al0.25As barrier
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tu-PE-18, Sendai, Japan, July 26-31 (2015)., 2015

Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer systems
21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Th-PE-7, Sendai, Japan, July 26-31 (2015)., 2015

In-plane electrical properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B heterostructures
電子情報通信学会技術研究報告、ED2015-43、金沢、7/24-25 (2015)., 2015

In組成～75%のInGaAs/InAlAs逆ヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の作製と電気的特性
応用物理学会 北陸･信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、P1、飯山、8/31-9/1 (2015)., 2015

半導体スピントロニクスに向けたInAsナノワイヤの作製と電気的評価
応用物理学会 北陸･信越支部 若手研究者サマーセミナー合宿勉強会と研究討論会、O5、飯山、8/31-9/1 (2015)., 2015

高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討
日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-5、吹田、9/16-19 (2015)., 2015

InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡
日本物理学会2015年秋季大会、17aAE-6、吹田、9/16-19 (2015)., 2015

MnAs/InAsへテロ構造を用いた横型スピンバルブ素子の試作
平成27年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会、B14、長野、12/12 (2015)., 2015

Magnetic properties and lateral spin-valve device application of MnAs/InAs/GaAs(111)B
第63回応用物理学会春季学術講演会、19p-P1-53、東京(2016)., 2015

酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源
第63回応用物理学会春季学術講演会、21a-S011-10、東京(2016)., 2015

InGaAs 2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定
日本物理学会第71回年次大会、21aAG-4、仙台(2016)., 2015

表面反転層高In組成2次元電子ガス2層系のサブバンド構造と量子ホール効果
日本物理学会第71回年次大会、21aAG-5、仙台(2016)., 2015

高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性
日本物理学会第71回年次大会、21aAG-6、仙台(2016)., 2015

Nitrogen and helium gas field ion source for nanofabrication
AVS 62nd International Symposium & Exhibition 2015, San Jose, California, USA, October 18-23 (2015)., 2015

Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions
2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015)., 2015

In-Plane Transport Properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B Grown by Molecular Beam Epitaxy
2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, P3-26, Tokyo, Japan, November 19-21 (2015)., 2015

In-plane oriented InAs nanowire field-effect transistors formed by combination of selective area molecular beam epitaxy and wet-etch thinning process
2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014), 2014

In0.75Ga0.25As quantum point contact structures fabricated by novel N2 focused ion beam
2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Kanazawa, Japan, July 1-3 (2014), 2014

Top-down fabrication and electrical characterization of In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum nanostructures
International Symposium on Nano - Materials, Technology and Applications, Hanoi, Vietnam, October 15-17, (2014)., 2014

メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いた細線構造における電子輸送のゲート制御
平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014), 2014

面内配向InAsナノワイヤのウェットエッチ狭窄
平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会、富山(2014), 2014

Band-like transport in reduced graphene oxide films
the 48th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium, Tokyo, Japan, February 21-23 (2015), 2014

Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure
第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015), 2014

水素インターカレショによるグラフェナノリボンFETへのSiO2基板の影響の除去
第62回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2015), 2014

高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価
日本物理学会第70回年次大会、東京(2015), 2014

中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送
日本物理学会第70回年次大会、東京(2015), 2014

In-plane oriented InAs nanowire formation by selsctive area molecular beam epitaxy on GaAs (211)B substrates
the 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Wroclaw, Poland, July 1-5 (2013)., 2013

Quantum Hall effect in In0.75Ga0.25As/In0.75A0.25lAs two-dimensional electron gas bilayer samples
the 20th International Conference on Electron Properties of Two-Dimensional Systems, Wroclaw, Poland, July 1-5 (2013)., 2013

領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成
第74回応用物理学会学術講演会、京田辺(2013)., 2013

GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価
電子情報通信学会技術研究報告、富山(2013)., 2013

エタノール気相化学成長法により還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜のバンドライク伝導
第61回応用物理学会春季学術講演会、相模原(2014), 2013

InGaAs 2次元電子ガス2層系における量子ホール効果
日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014), 2013

新構造InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析
日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014), 2013

InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II
日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014), 2013

電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価
日本物理学会第69回年次大会、相模原(2014), 2013

Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates
the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012)., 2012

Electron mobility anisotropy in InAs/GaAs(001
the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012)., 2012

Low temperature anisotropic transport and related structure analysis in InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system
the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara Japan, September 23-28 (2012)., 2012

Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry
the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012)., 2012

Control of InGaAs two-dimensional electron gas bilayer system for new type Rashba spintronics devices
the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012)., 2012

Anomalous cyclotron resonance in InGaAs/InAlAs Rashba systems
the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29-August 3 (2012)., 2012

強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性
日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012)., 2012

高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御
日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012)., 2012

InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴
日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012)., 2012

GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性
日本物理学会2012秋季大会、横浜(2012)., 2012

Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果
日本物理学会第68回年次大会、東広島(2013)., 2012

高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性
日本物理学会第68回年次大会、東広島(2013)., 2012

CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験
日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011)., 2011

温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析
日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011)., 2011

InGaAs/InAlAs2次元電子系のサイクロトロン共鳴
日本物理学会第66回年次大会、新潟 (2011)., 2011

低誘電率フレキシブル基板上InAs 薄膜におけるキャリア再結合寿命
第58回応用物理学関係連合講演会、厚木 (2011)., 2011

Characterization of sputtered AlN amorphous films and their applications to AlGaN/GaN MIS-HFET
電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011)., 2011

GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果
電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011)., 2011

III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定
電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011)., 2011

高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析
電子情報通信学会技術研究報告、長岡 (2011)., 2011

Experimental study of spin-injection into an InGaAs two-dimensional electron system with high In composition using CoFe-electrodes
the 19th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011)., 2011

Study of subband structure and Rashba spin-orbit interaction in In0.75Ga0.25As two-dimensionla electron gas bi-layer system via temperature dependent magneto-resistance measurements
the 19th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011)., 2011

Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates
the 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Tallahassee, FL, USA, July 25-30 (2011)., 2011

Electron accumulation and carrier recombination at surfaces and interfaces in InAs thin films bonded on low-k flexible substrates
2011 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Gifu, Japan, August 28-31 (2011)., 2011

領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001), (111)Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成
第72回応用物理学会学術講演会、山形(2011)., 2011

InGaAs/InAlAs2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴
日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011)., 2011

非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証
日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011)., 2011

高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析
日本物理学会2011秋季大会、富山 (2011)., 2011

Fabrication and analysis of AlN/GaAs(001) metal-insulator-semiconductor structure
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011)., 2011

Sputtered amorphous AlN gate dielectric for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistor
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 28-30 (2011)., 2011

非局所配置によるInGaAs-ニ次元電子系へのスピン注入検証
日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012)., 2011

強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性
日本物理学会第67回年次大会、西宮 (2012)., 2011

Growth and magneto-transport characterization of double-doped InGaAs/InAlAs heterostructures with high indium compositions
the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25- 30 (2010)., 2010

Spring characteristics of circular arc shaped 3D micro-cantilevers fabricated using III-V semiconductor strain-driven bending process
the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, July 25- 30 (2010)., 2010

Comparison of growth behavior for undoped and Si-doped GaAs and InAs nanowires deposited by selective area MOVPE
the 8th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces, Como, Italy, June 14-18 (2010)., 2010

Influence of Silicon Doping on the SA-MOVPE of InAs Nanowires
2010 Materials Research Society Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 5-9 (2010)., 2010

(招聘講演)狭バンドギャップIII-V半導体におけるスピン軌道結合の制御
物質材料研究機構・量子ドットセンター第97回セミナー、つくば(2010)., 2010

フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価
電子情報通信学会技術研究報告、能美 (2010)., 2010

(依頼講演)狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理
日本物理学会2010秋季大会、堺(2010)., 2010

InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料極低温伝導の面内異方性と構造解析ヘテロ構造の電子輸送特性
日本物理学会2010秋季大会、堺 (2010)., 2010

InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性
日本物理学会2010秋季大会、堺 (2010)., 2010

Magnetic field dependency of spin-splitting in InGaAs/InAlAs two-dimensional elctron gas with strong Rashba spin-orbit coupling
the 19th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology, Fukuoka, Japan, August 1-6 (2010)., 2010

InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性
電子情報通信学会技術研究報告、東京 (2009), 2009

Catalyst free MOVPE of GaAs- and InAs-Based Nanowires in N2 atmosphere
The 13th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Ulm, Germany, June 7-10 (2009), 2009

Strain-enhanced electron mobility anisotropy and piezoelectric scattering in InGaAs/InP 2DEGs
the 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Kobe, Japan, July 19-24 (2009)., 2009

Anisotropic electron transport of two-dimensional electron gases in compressively-strained, lattice-matched, and tensilely-strained InGaAs on InP(001)
the 2009 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Japan, August 25-28 (2009)., 2009

InP/InGaAs/InP(001)二次元電子移動度の異方性
第70回応用物理学会学術講演会、富山 (2009)., 2009

ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性
日本物理学会第65回年次大会、岡山、(2010)., 2009

フレキシブル基板上に貼り付けられたInAs超薄膜における電子輸送
第57回応用物理学関係連合講演会、平塚 (2010)., 2009

強磁性電極／InGaAs２次元電子ガス系新構造におけるスピン注入
日本物理学会第65回年次大会、岡山 (2010)., 2009

Optimization of GaInAs/InP heterostructures for non-magnetic semiconductor spintronics
Nanoelectronics Days 2008, Aachen, Germany, May 13-16 (2008), 2008

InxGa1-xAs/InP selective area MOVPE for non-magnetic semiconductor spintronics
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Mets, France, June 1-6 (2008), 2008

Enhancement of Rashba spin-orbit coupling by decrease of quantum well thickness
The 5th International Conference on Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors, Foz do Iguacu, Brazil, August 3-6 (2008), 2008

Influence of nitrogen carrier gas on SA-MOVPE of InAs nanowires
3rd Nanowire Growth Workshop 2008, Duisburg, Germany, September 15-16 (2008), 2008

InGaAs/InP lateral wire growth on SiO2/InP(001) masked substrates
3rd Nanowire Growth Workshop 2008, Duisburg, Germany, September 15-16 (2008), 2008

MOVPE of modulation doped GaAs/AlGaAs core-shell nanowires using alternative source materials
3rd Nanowire Growth Workshop 2008, Duisburg, Germany, September 15-16 (2008), 2008

Spin-control in semiconductor nanostructures
35th International Symposium on Compound Semiconductors, Rust, Germany, September 21 - 24 (2008), 2008

選択成長形成In0.53Ga0.47As/In0.77Ga0.23As/InPサブミクロン細線構造におけるスピン-軌道結合
第56回応用物理学関係連合講演会、つくば(2009), 2008

N2キャリアガスMOVPEによるInAsナノワイヤの高温選択成長
第56回応用物理学関係連合講演会、つくば(2009), 2008

In0.53Ga0.47As/In0.77Ga0.23As/InP-2DEGにおけるスピン-軌道相互作用のチャネル層厚依存性
第55回応用物理学関係連合講演会、船橋(2008), 2007

SiO2/Si基板に貼付けられたInGaAs/InAlAsメタモルフィックへテロ構造
第55回応用物理学関係連合講演会、船橋(2008), 2007

Optimization of InP/GaInAs structures with respect to Rashba spin-orbit coupling
the 72nd Annual Meeting of the Deutsche Physikalische Gesellschaft and DPG - spring meeting of the Division Condensed Matter , Berlin, Germany, February 25-29 (2008), 2007

Characterization and Weak-Antilocalization measurements of InGaAs/InP quantum wire structures
the 72nd Annual Meeting of the Deutsche Physikalische Gesellschaft and DPG - spring meeting of the Division Condensed Matter , Berlin, Germany, February 25-29 (2008), 2007

Spin-orbit coupling in InGaSb/InAlSb and InGaAs/InP 2DEGs
the 72nd Annual Meeting of the Deutsche Physikalische Gesellschaft and DPG - spring meeting of the Division Condensed Matter , Berlin, Germany, February 25-29 (2008), 2007

High Electron Mobility in Epitaxial Lifted-o_ InGaAs/InAlAs Metamorphic Heterostructures Bonded on AlN Ceramic Substrates
the 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, October 15-18 (2007), 2007

Fabrication of 3D micro/nano-structures based on MBE grown strained semiconductor layers
the 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Genoa, Italy, July 16-20 (2007), 2007

Spin injection in FM/2DEG/FM structures in high-quality In0.75Ga0.25As/In0.75A0.25lAs inverted HEMTs
the 17th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Genoa, Italy, July 16-20 (2007), 2007

Spin-orbit coupling in InGaSb/InAlSb
2007 Workshop of Virtual Institute for Spin-electronics, Aachen, Germany, April 16-17 (2007), 2007

InGaAs/InAlAsメタモルフィックへテロ構造のエピタキシャルリフトオフとAlNセラミック基板への貼付
第68回応用物理学会学術講演会、札幌 (2007), 2007

MBE成長半導体歪み構造を用いた微細立体構造の作製
第68回応用物理学会学術講演会、札幌 (2007)., 2007

Rashbaスピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス系における量子ポイントコンタクトの輸送特性
日本物理学会第62回年次大会、鹿児島(2007), 2006

InGaAs/InAlAs逆構造HEMT2次元電子ガスにおけるゲート制御スピン軌道相互作用
日本物理学会第62回年次大会、鹿児島(2007), 2006

GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス
電子情報通信学会技術研究報告、能美(2006), 2006

Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure
the 4th International Conference on Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors, Sendai, Japan, August 15-18 (2006), 2006

Spin-orbit Interactions in High In-content InGaAs/InAlAs Inverted Heterojunctions for Rashba Spintronics Devices
the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria, July 24-29 (2006), 2006

Spin splitting characterization of an InGaSb 2DEG by using magnetoresistance measurements with tilted magnetic fields
the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria, July 24-29 (2006), 2006

Spin-orbit coupling in InGaS-based two-dimensional electron gas
the 71st Annual Meeting of the Deutsche Physikalische Gesellschaft and DPG - spring meeting of the Division Condensed Matter , Regensburg, Germany, March 26-30 (2007), 2006